本報(bào)訊（劉歡）近日，納米學(xué)權(quán)威期刊《納米快報(bào)》（Nano Letters）在線發(fā)表了物理學(xué)院高義華教授團(tuán)隊(duì)題為《原子尺度、原位TEM研究InAs納米線晶體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變》的研究論文，報(bào)道了在透射電子顯微鏡中原位加熱納米線，實(shí)時(shí)觀察納米線晶體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變過程，并直觀解釋納米線晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變的微觀機(jī)制。

砷化銦（InAs）是III-V族半導(dǎo)體材料中一種重要的窄直接帶隙半導(dǎo)體，具有高電子遷移率、低有效質(zhì)量、大激子波爾半徑、易形成歐姆接觸等優(yōu)良特征。為了更好地實(shí)現(xiàn)InAs納米線的優(yōu)異性能，對InAs納米線不同晶體結(jié)構(gòu)的生長機(jī)理及晶體結(jié)構(gòu)可控生長的研究顯得尤為重要。

《中國教育報(bào)》2018年12月03日第7版